陽明交大攜台積電開拓新技術 引領積體電路發展

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要聞中心/綜合報導

陽明交大團隊與台積電合作,引入光熱合併的方法,並結合紫外線照射和氧氣退火技術,實現超薄層半導體中閾值電壓調變的技術,引領積體電路技術的全新發展方向。

超薄準二維氧化銦電晶體結構示意圖以及高解析顯微鏡顯示通道厚度約為2奈米。(陽明交大提供)

陽明交通大學今天發布新聞稿指出,近年來隨著半導體元件微縮,二維和準二維厚度的半導體研究持續升溫,其中透過改變材料載子濃度在超薄電晶體中調節閾值電壓,一直極具挑戰性,因為材料尺寸已接近甚至小於摻雜原子的尺寸,導致電子傳輸和控制極其困難,如何實現閾值電壓的有效調變也成為難題。

陽明交通大學電子研究所助理教授連德軒的研究團隊與台積電合作,引入光熱合併的方法,結合紫外線照射和氧氣退火,成功實現在超薄氧化銦電晶體中大範圍及大面積的閾值電壓調變,研究成果刊登於國際期刊「自然通訊」。

陽明交通大學電子研究所助理教授連德軒(右)和電機學院博士候選人曾柏翰(左)。(陽明交大提供)

研究團隊提到,這種方法能實現正向和負向的閾值電壓調節,並且是可逆的操作方式,對下一代積體電路技術的發展提供重要方向;透過閾值電壓的可控性,研究團隊也通過自動化雷射系統(與雷傑科技合作),實現晶圓尺寸的閾值電壓調變,凸顯此方法在測試以外的的實際應用性。(中央社)

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