重磅合作！傳輝達指定三星HBM底層晶片　採台積電3奈米製程

三星電子將採用台積電3奈米製程，生產輝達下一代客製化高頻寬記憶體（HBM）的核心元件底層晶片（Base Die）。業界人士指出，輝達已要求三星、SK海力士及美光三大供應商，統一採用台積電3奈米製程製造底層晶片，並將核心記憶體晶片統一採用第六代DRAM製程1c，以確保不同供應商產品的效能一致。

輝達8月公布客製化HBM產品NVHBM，採用第七代HBM架構HBM4E。由於各家記憶體廠商的製造方式不同，可能導致相同設計的產品效能存在差異，輝達因此要求供應商統一製程，也可減少針對不同廠商分別驗證產品的負擔。三星經內部評估後，決定接受要求，改變過去自行負責核心晶片與底層晶片的整合製造模式。這也是三星與台積電首次在HBM製造階段合作。

不過，三星不打算全面放棄自有代工的一站式製造策略。標準版HBM產品仍將採用三星自家4奈米製程製造底層晶片，核心晶片則由1c製程生產；針對超微等其他客戶的客製化HBM，也將維持原有策略。此外，三星仍在評估能否以自家晶圓代工產線生產NVHBM底層晶片，作為台積電產能不足、無法滿足需求時的備案。（工商時報／陳穎芃）

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※本文授權自工商時報，原文：重磅合作 傳輝達指定三星HBM底層晶片 採台積電3奈米製程

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