文／中央社
美國擴大對中國半導體出口限制。（圖／unsplash）
美國總統拜登宣布擴大對中國晶片及設備出口限制，研調機構集邦科技今天指出，晶圓代工廠恐無法再為中系IC設計公司，製造任何美方提及的高效能運算（HPC）相關領域晶片，將壓縮中國廠商的發展，並波及在中國的韓、台廠。
對此，晶圓代工龍頭台積電表示，現階段屬於法人說明會前緘默期，無法評論。
拜登7日宣布，限制美國對中國出口晶片技術新規定，使用於人工智慧（AI）、超級電腦運算的晶片出口均須通過審查，向中企出口半導體設備也同樣設限。
研調機構集邦科技調研運營中心營運長張小彪接受電訪表示，中國半導體製程多集中在28奈米（nm）以上的成熟製程，中芯國際發展14奈米先進製程也僅是實驗線階段；但美國發布的新禁令，將原本僅針對先進製程技術及設備逐案審查的規定，延伸到成熟製程，再加上限制從晶片擴大到記憶體，將壓縮中國廠商的發展，並波及在中國的韓、台廠。
張小彪指出，中國的長江存儲、合肥長芯，韓廠海力士、三星在中國的工廠，都受到波及。
集邦科技傍晚發布新聞稿指出，美商務部再度對中祭出限令，限制範圍由邏輯IC擴大至記憶體領域，除中資企業外，外資位於中國境內的生產基地亦需透過「逐案申請許可」方式，方能持續取得製造相關設備。
集邦認為，無論中系或美系IC公司，目前高效能運算（HPC）相關晶片多半委由台積電進行製造，製程主流為7奈米（nm）、5nm或部分12nm；未來不論是美系廠無法再出口至中國市場，或是中系廠無法進行開案、量產投片，均為台積電7nm、5nm製程的未來訂單狀況帶來負面影響。
另外，針對任何可能使用於軍事用途的晶片，中國也難以透過進口方式持續取得。
集邦調查，此次美國更新的限制範疇主要在邏輯IC，例如鰭式場效電體（FinFET）或環繞式閘極結構電晶體（GAAFET）的16/14nm 或更先進製程、動態隨機存取記憶體（DRAM）的18nm或更先進製程、NAND快閃記憶體（Flash）晶片的128層或更高層數產品等3個部分。
根據集邦調查，由於美商務部對美系設備商欲出口16nm以下設備給未被列入實體清單的中系晶圓廠、甚至是外資位於中國境內的生產基地，皆須經過審核方能執行，因此目前中系晶圓廠皆多半以28nm以上的製程發展為擴產（廠）主軸。
集邦表示，中系以外的晶圓代工廠僅有台積電南京廠以28nm擴產為主，未有先進製程規劃。
集邦指出，儘管中系晶圓廠積極與中國本土、歐系及日系設備商合作，企圖發展非美系產線，並已轉以發展28nm以上的製程為主，但該禁令形同完全扼殺中國發展14/16nm及以下先進製程擴產及發展的可能性，且28nm及以上的製程擴產，亦需經過曠日廢時的審查流程。
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