世界先進公司與台積電簽署氮化鎵製程技術授權協議

世界先進（5347）28日宣布已與台積電（2330）簽署高壓(650V)與低壓(80V)氮化鎵(GaN)製程技術的授權協議。此授權協議將協助世界先進公司加速開發並拓展新一代氮化鎵電源元件，應用於資料中心、車用電子、工業控制與能源管理等高效率電能轉換領域。

透過此次授權，世界先進公司將擴展其矽基底功率氮化鎵(GaN-on-Si)製程至高壓應用領域，並提供完整的GaN-on-Si平台，結合原有的新基底功率氮化鎵(GaN-on-QST)製程平台，世界先進公司將成為全球唯一能同時提供矽基底功率及新基底功率，兩種不同基板氮化鎵製程的晶圓製造服務公司，可支援自低壓(小於200V)、高壓(650V)乃至超高壓(1200V)的完整產品解決方案，進一步強化世界先進公司在高效率電能轉換領域的技術布局。（工商時報／張瑞益）

※本文授權自工商時報，原文：世界先進公司與台積電簽署氮化鎵製程技術授權協議

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