三星、輝達聯手開發鐵電NAND　AI模型分析速度提升逾萬倍

南韓《Business Korea》報導，三星正與輝達合作，加速推進下一代鐵電NAND快閃記憶體晶片的開發與商業化。由三星半導體研究院、輝達及美國喬治亞理工學院組成的聯合研究團隊，開發出一套能大幅提升研發效率的人工智慧系統，相關成果已對外公布。

分析速度提升逾萬倍　PINO模型成關鍵突破

根據業內人士消息，上述聯合研究團隊已成功開發出名為「物理資訊神經算子（Physics-Informed Neural Operator，PINO）」的模型，可分析鐵電基NAND元件的性能表現，分析速度較現有方法提升逾1萬倍。

鐵電材料是一種無需持續供電即可維持極化狀態的新型材料，因其能以極低功耗有效儲存資訊，近年來被積極研究應用於NAND記憶體裝置，三星電子在此領域居於主導地位。鐵電NAND係以鐵電材料取代傳統矽材料所製成。

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鐵電NAND的商業化需透過電腦模擬，精確分析並改善臨界電壓、資料保存等材料特性。半導體業界廣泛使用的分析工具「電腦輔助技術設計（Technology Computer-Aided Design，TCAD）」，每項任務通常需耗費60小時，嚴重制約研發進度。三星與輝達研究團隊透過以物理定律訓練的人工智慧，成功將任務時間壓縮至10秒以內。

去年底，三星電子已開發出與傳統NAND相比可降低96%功耗的鐵電NAND技術，並將研究成果發表於國際學術期刊《自然（Nature）》，在半導體業界引發高度關注。

根據南韓特許廳資料，南韓在全球鐵電專利份額中以43.1%位居五大國之首，其中三星電子單獨佔比達27.8%。

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