陸DRAM突圍！長鑫G5晶圓產出增50%　直逼三星、海力士

大陸DRAM龍頭長鑫科技20日宣布，第5代（G5）技術平台正式量產，晶圓產出較上一代提升逾50%，基於G5平台打造的24Gb LPDDR5X產品也已進入規模量產，並導入大陸主流旗艦手機，顯示長鑫科技持續縮小與三星電子、SK海力士及美光科技等全球主要記憶體業者的技術差距。

長鑫G5平台量產之際，正值北京持續降低對外國半導體技術依賴。美國自2022年起陸續實施出口管制，限制大陸取得部分先進晶片製造設備及相關軟體，也使大陸記憶體業者加速推進自主技術與供應鏈布局。

長鑫科技此次在2026世界製造業大會上表示，G5微縮工藝將記憶體陣列有源區半間距縮小至11.95奈米，儲存器電容深寬比達45：1，核心動能區高度降至6,762奈米，推動儲存密度大幅提升。在相同條件下，每片晶圓的裸片產出數量較第4代平台增加至少50%，同時具備提升產品能效、降低成本等優勢。

• play_circle_outline 中朝邊境「新鴨綠江大橋」要通了？韓媒：大貨車「試車」畫面曝光

此次大會也同步展出兩款基於G5平台打造的LPDDR5X量產產品，單顆容量均為24Gb，較上一代同類型產品提升50%，分別採用496 Ball及245 Ball封裝規格，可應用於中高階智慧手機及便攜式消費電子產品，目前均已進入規模量產階段。

長鑫科技表示，公司利用電腦模擬技術，並與大陸晶片設備業者在關鍵生產環節展開合作，完成G5技術平台開發。長鑫科技副總裁兼市場中心負責人駱曉東表示，目前公司工藝能力已與業界最先進的量產節點相當。（工商時報／高陸）
※本文授權自工商時報，原文：晶圓產出增逾50％！長鑫G5正式量產 挑戰三星、SK海力士
【更多工商時報報導】
《基金》邁向韓股估值修復機遇 009829重倉韓國半導體雙雄
投資項目喬不攏 美韓重啟談判
SK海力士子公司Solidigm 擬赴美設NAND晶片廠