與美光合作1P製程!力積電:2028年下半年量產

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晶圓代工廠力積電總經理朱憲國今天表示,與美光(Micron)合作的1P製程開始進入開發階段,預計2027年第1季導入新機台,2028年上半年完成試產,下半年量產。此外,與美光合作的PWF產線預計2027年第4季量產。

晶圓代工廠力積電。(圖/報系資料照)

力積電下午召開線上法人說明會,公布第1季營運結果。力積電第1季營收新台幣135.72億元,毛利率10.23%,稅後淨利142.31億元,每股純益3.36元。

朱憲國說明與美光合作的進展,與美光合作的1P製程已進入開發階段,新機台預計2027年第1季搬入,2028年上半年完成試產,下半年進入量產。1P的晶圓顆粒數是現有主力製程平台的2.5倍,對未來動態隨機存取記憶體(DRAM)產值增加將帶來明顯助益。

朱憲國指出,與美光合作的高頻寬記憶體(HBM)後段晶圓製造(PWF)產線已於新竹廠區擴建無塵室,預計2026年第3季開始機台搬入,預計2026年第4季開始試產,2027第4季進入量產,目標月產能2萬片。

朱憲國說,力積電2026年起將轉型為以人工智慧(AI)應用為核心的專業晶圓代工廠,以原生記憶體技術為基底,結合邏輯控制晶片,並提供電源管理IC、功率元件、矽中介層及矽電容等應用於2.5D先進封裝重要元件的代工服務。

在記憶體代工業務,朱憲國表示,記憶體市場供給缺口可能延續到2026年下半年。力積電3月大幅調高DRAM代工價格,預期漲價效應將自6月起顯現。

朱憲國指出,力積電4月大幅調漲儲存型快閃記憶體(NAND Flash)晶圓代工投片價格。除了單層型(SLC),也與客戶合作開發多層型(MLC),預計年底前完成製程開發,2027上半年可供客戶設計定案。編碼型快閃記憶體(NOR Flash)在2025年第4季開始放量。

邏輯代工業務,朱憲國說,1月起調漲12吋面板驅動IC及影像感測器代工價格,漲幅都達雙位數水準。AI伺服器用電源管理晶片開始放量,單月投片超過1萬片。(文/中央社)

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