記憶體廠華邦電董事會今天通過新台幣731.63億元資本支出,將用於擴建高雄廠廠房及購置生產設備,總經理陳沛銘表示,高雄廠模組B將於12月29日動工,希望2年內可以開始裝機。

華邦電今天召開法人說明會,陳沛銘指出,高雄廠模組A預計今年底月產能擴增到2.4萬至2.5萬片規模,2027年及2028年將維持月產能2.4萬至2.5萬片。
陳沛銘說,董事會今天核准731.63億元資本支出,將用於高雄廠模組B建廠及購置生產設備,預計12月29日舉行簡單動工儀式,希望2年內可以開始裝機,2029年小量產,2030年較大量貢獻產能。
陳沛銘表示,人工智慧(AI)市場需求依然強勁,不過,第4季消費性市場恐面臨修正。AI將成為人類生活不可或缺的一部分,預期AI不會泡沫,只是可能會加速洗牌,部分廠商的投資會泡沫。
陳沛銘指出,華邦電目前居全球編碼型快閃記憶體(NOR Flash)龍頭,單層式儲存型快閃記憶體(SLC NAND Flash)為世界第3,隨著大廠陸續淡出市場,華邦電可望擴展市場,將朝向全球SLC NAND Flash龍頭目標邁進。
至於客製化記憶體方面,陳沛銘說,華邦電將以DDR4及LPDDR4產品為發展重心。
至於產品價格走勢,陳沛銘表示,目前動態隨機存取記憶體(DRAM)價格已高,不過,不至於會下跌。Flash產品價格仍有往上空間,尤其是高容量。
受惠客製化記憶體與Flash產品價格上漲,華邦電第3季營收攀高至新台幣823.31億元,季增37.6%,毛利率70.6%,較第2季上揚4個百分點,歸屬母公司淨利354.22億元,季增45.7%,每股純益7.58元,累計前3季每股純益15.32元。(中央社)