文/中央社
立法院12日將審議「台版晶片法案」產創條例10之2修法。官員透露,各黨團有高度共識,待母法三讀後,將儘速在半年內完成子法訂定;至於草案中的「先進製程」、「國際供應鏈關鍵地位」等定義,將視個案由學者專家組成委員會審查。
立法院12日將審議「台版晶片法案」。圖為晶圓。(示意圖/Pexels)
為鼓勵台灣半導體等產業的領先者更願意投入先進研發,並在先進製程持續尋求突破,行政院提出「產業創新條例」第10條之2修法,未來技術創新且居國際供應鏈關鍵地位的公司,研發費用的25%,以及購置先進製程的全新機器等支出的5%,皆可抵減當年度營所稅。
經濟部官員透露,經積極溝通、說明後,立法院各黨團的經濟委員會、財政委員會立委,對修法都持正面態度,僅詢問草案中的「先進製程」定義,以及何謂「居國際供應鏈關鍵地位」。
目前除行政院版本,也有民進黨立委賴瑞隆、郭國文、林宜瑾,國民黨立委楊瓊瓔、無黨籍立委黃國書及民眾黨團等版本,將於12日立法院的經濟委員會中審議。其中除黃國書版本設定研發費用抵減率30%、先進製程設備7%外,各草案版本內容均無太大差異。
官員表示,在修法溝通時,已有向立委詳細說明修法規劃,例如未來受理申請案件時,因適用產業不僅限於半導體,也可能包含電動車、5G甚至儲能等產業;因此,將就不同申請個案領域,邀集學者專家組成委員會審查。
官員說明,以半導體產業為例,目前先進製程以5奈米為主流,3奈米則在試量產,專家委員會會就申請案的製程,針對多少奈米以下才不算成熟製程、或如何才符合國際供應鏈關鍵地位等相關要件、進行討論。
官員解釋,產創條例10之2設定施行期間是到民國118年底為止,但因科技發展迅速,過幾年後會進展到何種程度仍未知,且不同申請案的產業領域專業技術有別;若採取當下邀集專家學者,針對個案認定、審查的方式,會更有說服力。
關於適用的研發費用規模,外傳訂有新台幣50億、70億與100億元等3版本。官員強調,實際並無所謂「版本」說法,而是財政部的繳稅或研發費用等資料,通常是以30億、50億、70億、100億元等級距,來篩選、評估哪些企業能適用產創條例。
至於研發費用規模訂定方向,官員表示,要等母法通過後才有依據討論、訂定子法,子法屬行政命令,只要完成預告程序及徵詢意見後,無需經立法院就可公布上路;至於時程,盼母法這會期通過後的半年內,完成子法訂定。
據財政部、經濟部初步共識,研發費用門檻介於50億元至100億元間,但行政院態度傾向50億元,因此仍待產創條例母法三讀通過後,再行跨部會協商。
據內部估算,若門檻設為100億元,台積電、聯發科、 聯詠等企業可望適用,若為70億元甚至50億元,聯電、日月光、南亞科、群聯、瑞昱甚至更多業者,都可望受惠。